簡(jian)要描述:■ 一體(ti)化(hua)設計:LCR+VGS低壓(ya)(ya)源+VDS高壓(ya)(ya)源+通(tong)道(dao)切換+上位機軟件■ 單(dan)管器件(點測(ce)(ce))、模組(zu)器件(列表(biao)掃(sao)(sao)描)、曲(qu)線掃(sao)(sao)描(選件)三種測(ce)(ce)試(shi)方(fang)式■ 四寄生參數(shu)(Ciss、Coss、Crss、Rg或(huo)Cies、Coes、Cres、Rg)同屏一鍵測(ce)(ce)量及顯示■ 標配(pei)2通(tong)道(dao),可(ke)擴展(zhan)至6通(tong)道(dao),可(ke)測(ce)(ce)單(dan)管、多(duo)芯或(huo)模組(zu)器件(TH513僅1通(tong)道(dao))■ CV曲(qu)線掃(sao)(sao)描、Ciss-Rg曲(qu)線掃(sao)(sao)描■ 電(dian)容快速充電(dian)技術(shu),實現快速測(ce)(ce)試(shi)■ 接觸(chu)檢查Cont■ 通(tong)斷測(ce)(ce)試(shi)OP_SH■ 自動延時設置(zhi)■ 柵極電(dian)壓(ya)(ya)VGS:0 - ±40V■ 漏極電(dian)壓(ya)(ya)VDS:0 - ±3000V■ 10檔分選
更(geng)新時間:2023-11-30
產品型號:
所屬分類:半導體器件CV特性測試(shi)
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TH510系列半導體(ti)(ti)C-V特性分析儀(yi)是常州(zhou)同惠電(dian)子根據當前(qian)半導體(ti)(ti)功(gong)率器件(jian)發展趨勢,針對半導體(ti)(ti)材(cai)料及功(gong)率器件(jian)設計的分析儀(yi)器。
儀(yi)器采(cai)用(yong)了一(yi)體(ti)(ti)化(hua)集(ji)(ji)成設(she)計,二極(ji)管(guan)(guan)、三極(ji)管(guan)(guan)、MOS管(guan)(guan)及IGBT等(deng)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)功(gong)率(lv)(lv)器件寄生(sheng)電容、CV特性可(ke)一(yi)鍵(jian)測(ce)試,無需(xu)頻(pin)繁(fan)切換(huan)接線及設(she)置(zhi)參數,單(dan)管(guan)(guan)功(gong)率(lv)(lv)器件及模組功(gong)率(lv)(lv)器件均(jun)可(ke)一(yi)鍵(jian)快(kuai)速測(ce)試,適用(yong)于生(sheng)產線快(kuai)速測(ce)試、自動化(hua)集(ji)(ji)成。
CV曲線掃描分(fen)析能力(li)亦能滿足(zu)實(shi)驗室對半(ban)導(dao)體(ti)(ti)材料及(ji)功(gong)率器(qi)件(jian)的研發及(ji)分(fen)析。
儀器設計頻率(lv)為1kHz-2MHz,VGS電(dian)壓可(ke)達±40V,VDS電(dian)壓可(ke)達±200V/±1500V/±3000V,足以滿足大(da)多數功率(lv)器件測試。
功能特點
A.一體化測試,集成度高、體積小、效率高
一臺儀器內置(zhi)了LCR數字電(dian)(dian)橋、VGS電(dian)(dian)壓源、VDS電(dian)(dian)壓源、高低壓切換矩陣以及上位機軟(ruan)件,將復雜(za)的(de)(de)接線、繁(fan)瑣的(de)(de)操作(zuo)集成在支持電(dian)(dian)容式觸(chu)摸的(de)(de)Linux系統內,操作(zuo)更簡單。特別適合產(chan)線快速化(hua)、自動(dong)化(hua)測(ce)試。
B.單管器件測試,10.1寸大屏,四種寄生參數同屏顯示,讓細節一覽無遺
MOSFET或(huo)IGBT最(zui)重要的四個寄生參(can)數:Ciss、Coss、Crss、Rg,Cies、Coes、Cres、Rg均可一(yi)(yi)鍵(jian)測試,10.1寸大屏可同(tong)時將測量結果、等效(xiao)電路圖(tu)、分選(xuan)結果等重要參(can)數同(tong)時顯示,一(yi)(yi)目了然。
一鍵測(ce)試(shi)單(dan)管器件器件時,無需頻繁切(qie)換測(ce)試(shi)腳位、測(ce)量(liang)參(can)數、測(ce)量(liang)結果,大大提高了測(ce)試(shi)效率。
C.列表測試,多個、多芯、模組器件測量參數同屏顯示
TH510系列半導體C-V特(te)性分析儀支(zhi)持最(zui)多6個單管器(qi)件(jian)(jian)(jian)、6芯器(qi)件(jian)(jian)(jian)或6模(mo)組器(qi)件(jian)(jian)(jian)測試,所有測量(liang)參(can)數通過列表(biao)掃描模(mo)式同時顯(xian)示測試結(jie)(jie)果及判(pan)斷結(jie)(jie)果。
D.曲線掃描功能(選件)
在MOSFET的參數中,CV特性曲線也是一個(ge)非常重要的指(zhi)標,如下圖
TH510系列半導(dao)體(ti)C-V特(te)性(xing)分析儀支持C-V特(te)性(xing)曲(qu)線(xian)(xian)(xian)分析,可以以對(dui)數(shu)、線(xian)(xian)(xian)性(xing)兩種(zhong)方式(shi)實現曲(qu)線(xian)(xian)(xian)掃描,可同(tong)(tong)時顯示多條(tiao)曲(qu)線(xian)(xian)(xian):同(tong)(tong)一參數(shu)、不同(tong)(tong)Vg的多條(tiao)曲(qu)線(xian)(xian)(xian);同(tong)(tong)一Vg、不同(tong)(tong)參數(shu)多條(tiao)曲(qu)線(xian)(xian)(xian)。
E.的接觸檢查(Contact)功能,提前排除自動化測試隱患
F.的快速通斷測試(OP_SH),排除損壞器件
在半導體器件特(te)性測試時,由于半器件本身是損(sun)壞件,特(te)別是多芯(xin)器件其中(zhong)一個芯(xin)已(yi)經損(sun)壞的(de)情況(kuang)下,測試雜散電容仍有可能被為合格,而半導體器件的(de)導通特(te)性才是最重要的(de)特(te)性。
因此,對于(yu)本身導通特性不(bu)良的(de)產品(pin)(pin)進行C-V特性測(ce)試是(shi)沒有必要(yao)的(de),不(bu)僅僅浪費(fei)了測(ce)量時(shi)間,同時(shi)會由(you)于(yu)C-V合格而混雜(za)在(zai)良品(pin)(pin)里,導致成品(pin)(pin)出貨后被退(tui)回帶(dai)來損失.
TH510系列半導體(ti)C-V特性分析儀提供了快(kuai)速(su)通斷測試(OP_SH)功(gong)能,可用于直接判斷器(qi)件(jian)本身導通性能。
G.模組式器件設置,支持定制
針(zhen)對模組式器件(jian)如雙路(Dual)MOSFET、多組式IGBT,有(you)些器件(jian)會有(you)不同(tong)類型芯(xin)片(pian)(pian)混合式封裝;TH510系列CV特(te)性分析(xi)儀針(zhen)對此(ci)情況做(zuo)了優化(hua),常見(jian)模組式芯(xin)片(pian)(pian)Demo已內置,特(te)殊(shu)芯(xin)片(pian)(pian)支持定(ding)制.
H.簡單快捷設置
I.10檔分選及可編程HANDLER接口
J.支持定制化,智能固件升級方式
同(tong)惠儀(yi)器(qi)對(dui)于客(ke)戶而言是開放的,儀(yi)器(qi)所有接口、指令集(ji)均為開放設(she)計,客(ke)戶可自(zi)行編程(cheng)集(ji)成(cheng)或進行功能定制,定制功能若無硬件更(geng)改,可直接通過固件升級方(fang)式更(geng)新。
儀(yi)器本身功能(neng)完善、BUG解決、功能(neng)升(sheng)級(ji)(ji)等,都可以通過升(sheng)級(ji)(ji)固(gu)件(Firmware)來進行更新,而無需返廠(chang)進行。
固件升(sheng)級(ji)(ji)非常智能,可以通過系統設置界面(mian)或者文(wen)件管(guan)理界面(mian)進行,智能搜(sou)索(suo)儀(yi)器內存、外(wai)接優盤甚至是局域網內升(sheng)級(ji)(ji)包,并(bing)自動(dong)進行升(sheng)級(ji)(ji)
K.技術解決Ciss、Coss、Crss、Rg產線/自動化系統高速測試精度
同惠電(dian)子在(zai)電(dian)容測(ce)試行業(ye)近30年的經驗(yan)積(ji)累,得以在(zai)產線、自動化測(ce)試等高(gao)速高(gao)精度測(ce)試場合,都能保證電(dian)容、電(dian)阻等測(ce)試精度。
常規產線(xian)測(ce)試(shi),提供標準0米(mi)測(ce)試(shi)夾(jia)具(ju),直插器件(jian)可(ke)直接插入(ru)進行測(ce)試(shi),Ciss、Coss、Crss、Rg測(ce)試(shi)精度高。
針對自動(dong)化(hua)測試(shi)(shi),由于自動(dong)化(hua)設備測試(shi)(shi)工(gong)裝(zhuang)通常需要較長連接(jie)線(xian),大(da)多自動(dong)化(hua)設備生產(chan)商在延長測試(shi)(shi)線(xian)時會(hui)帶來很大(da)的(de)精(jing)(jing)度(du)偏差,為此,同惠設計了的(de)2米(mi)延長線(xian)并內置了2米(mi)校準,保證Ciss、Coss、Crss、Rg測試(shi)(shi)精(jing)(jing)度(du)和0米(mi)測試(shi)(shi)夾具(ju)一致。
L.半導體元件寄生電容知識
在(zai)高頻電路中,半(ban)導體(ti)(ti)器件(jian)的(de)寄生(sheng)電容(rong)往(wang)往(wang)會影響(xiang)半(ban)導體(ti)(ti)的(de)動態特性,所以在(zai)設計半(ban)導體(ti)(ti)元件(jian)時需要考慮下(xia)列因數
在高(gao)頻電(dian)路(lu)設計(ji)中往往需要考(kao)慮二極(ji)管(guan)(guan)結(jie)電(dian)容帶來的(de)影響;MOS管(guan)(guan)的(de)寄生(sheng)電(dian)容會影響管(guan)(guan)子(zi)的(de)動(dong)作時間、驅動(dong)能力和開關損耗(hao)等多方面(mian)特性;寄生(sheng)電(dian)容的(de)電(dian)壓依賴(lai)性在電(dian)路(lu)設計(ji)中也是至關重要,以MOSFET為例。
M.標配附件
■ 半導體元件/功率元件
二(er)極(ji)(ji)管、三極(ji)(ji)管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成(cheng)電(dian)路、光
電子芯(xin)片等寄生電容(rong)測試、C-V特性(xing)分析(xi)
■ 半導體材料
晶圓(yuan)切(qie)割、C-V特性分(fen)析
■ 液晶材料
彈性常(chang)數分析
■電容元件
電容器(qi)C-V特性(xing)測試(shi)及(ji)分析,電容式傳感器(qi)測試(shi)分析
產品型號 | TH511 | TH512 | TH513 | |||
通道數(shu) | 2(可(ke)選(xuan)配4/6通(tong)道) | 1 | ||||
顯示 | 顯示(shi)器 | 10.1英寸(對角線)電容觸摸屏 | ||||
比例 | 16:9 | |||||
分辨率 | 1280×RGB×800 | |||||
測量參數(shu) | Ciss、Coss、Crss、Rg,四參數任意選擇 | |||||
測試(shi)頻率 | 范圍 | 1kHz-2MHz | ||||
精(jing)度 | 0.01% | |||||
分(fen)辨率 | 10mHz 1.00000kHz-9.99999kHz | |||||
100mHz 10.0000kHz-99.9999kHz | ||||||
1Hz 100.000kHz-999.999kHz | ||||||
10Hz 1.00000MHz-2.00000MHz | ||||||
測(ce)試電(dian)平 | 電壓(ya)范圍 | 5mVrms-2Vrms | ||||
準確度 | ±(10%×設(she)定值+2mV) | |||||
分辨率 | 1mVrms 5mVrms-1Vrms | |||||
10mVrms 1Vrms-2Vrms | ||||||
VGS電壓 | 范(fan)圍(wei) | 0 - ±40V | ||||
準(zhun)確度(du) | 1%×設定電壓+8mV | |||||
分辨率 | 1mV 0V - ±10V | |||||
10mV ±10V -±40V | ||||||
VDS電壓 | 范圍 | 0 - ±200V | 0 - ±1500V | 0 - ±3000V | ||
準確度 | 1%×設定電壓+100mV | |||||
輸出(chu)阻(zu)抗 | 100Ω,±2%@1kHz | |||||
數(shu)學運算 | 與標稱值的偏差(cha)Δ,與(yu)標(biao)稱值的百分(fen)比偏差Δ% | |||||
校(xiao)準功能 | 開路OPEN、短路SHORT、負載LOAD | |||||
測量平均(jun) | 1-255次 | |||||
AD轉換時(shi)間(jian)(ms/次(ci)) | 快速+:2.5ms(>5kHz) 快(kuai)速:11ms 中速(su):90ms 慢(man)速:220ms | |||||
準確度 | 0.5%(具(ju)體參(can)考說明書) | |||||
Ciss、Coss、Crss | 0.00001pF - 9.99999F | |||||
Rg | 0.001mΩ - 99.9999MΩ | |||||
Δ% | ±(0.000% - 999.9%) | |||||
多功能參數列表掃描 | 點數 | 50點,每個點可(ke)設置平(ping)均數,每個點可(ke)單獨分選 | ||||
參數 | 測試頻(pin)率、Vg、Vd、通道(dao) | |||||
觸發(fa)模式(shi) | 順序SEQ:當(dang)一(yi)次(ci)觸(chu)發后,在所(suo)有掃描點測(ce)量,/EOM/INDEX只(zhi)輸出一次 | |||||
步進STEP:每次觸發(fa)執行(xing)一(yi)個(ge)掃描點(dian)測量,每點(dian)均輸出/EOM/INDEX,但列表掃描比較器結果(guo)只在最后的(de)/EOM才輸(shu)出 | ||||||
圖(tu)形掃(sao)描(miao) | 掃描點數 | 任意點可選(xuan),最多1001點 | ||||
結果顯示 | 同一(yi)參(can)數、不同Vg的(de)多條曲線;同一Vg、不同參(can)數多條曲(qu)線(xian) | |||||
顯示(shi)范圍(wei) | 實(shi)時自動、鎖定 | |||||
坐標標尺 | 對數、線性 | |||||
掃描(miao)參(can)數(shu)觸發(fa)方式 | Vg、Vd | |||||
單次 | 手動觸(chu)發一(yi)次(ci),從(cong)起點(dian)到(dao)終點(dian)一(yi)次(ci)掃描完成,下個觸(chu)發信號啟(qi)動新(xin)一(yi)次(ci)掃描 | |||||
連續 | 從起點(dian)到終點(dian)無限(xian)次循環掃描 | |||||
結(jie)果保存(cun) | 圖形、文件 |
標配 | |||||
配件名稱 | 型號 | ||||
TH510夾具控制連接電纜 | TH26063D | ||||
TH510測試延長線 | TH26063G |
選配 | |||||
配件名稱 | 型號 |